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基于TCAD仿真的4 THz高截止频率GaN肖特基二极管设计与太赫兹混频器 ...

为突破GaAs肖特基二极管(SBD)在太赫兹频段的功率瓶颈，研究人员通过Sentaurus-TCAD仿真优化GaN SBD结构参数（N-GaN层厚度与阳极尺寸），实现2.41 THz超高截止频率(fc )，并首次将GaN SBD集成至石英微带混频器，在210-224 GHz频段实现18 dB转换损耗(CL)和2 dBm输入1 dB压缩点(Pin1dB ...