国产碳化硅（SiC）产业近日迎来规模化落地的标志性进展。比亚迪与中车时代半导体两大龙头企业先后传出重磅消息：中车的8英寸SiC晶圆产线则成功通线，比亚迪的SiC芯片项目已正式通过验收，两者合计将带来超过60万片/年的新增产能，标志着中国在第三代半导体 ...

近日，“行家说三代半”报道了【2025行家说三代半年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛】上，11位行业C-level高层围绕“2025年碳化硅行业总结”分享的精彩观点。（点击查看） 在回顾2025年产业发展态势后，各位嘉宾亦针对碳化硅未来五年的发展方向 ...

在当今全球半导体产业格局重塑与中国“双碳”战略深入实施的历史交汇点上，电力电子行业正经历着一场前所未有的技术革命。这场革命的核心，便是以碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体，对传统硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）发起的全面替代与超越。对于深圳 ...

据此前报道，Wolfspeed的查塔姆工厂已于2024年3月举行一期工程封顶仪式，并有一些长晶炉设备进场，预计将在2025年上半年开始生产，竣工达产后，将使Wolfspeed的SiC衬底产量扩大10倍。

随着电源管理成为汽车电动化和AI数据中心等新兴电子应用的基础环节，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙化合物半导体正成为产业界关注的焦点，呈现出强劲的发展态势。聚焦IDM厂商、无晶圆厂企业和代工厂商的核心动态，近期一系列关键事件与趋势正持续重塑SiC与GaN的产业格局。 在SiC市场，汽车应用尤其是纯电动汽车逆变器始终是核心增长引擎，据Yole Group分析师预测，尽管2024-2025年 ...

近来，SiC先驱Wolfspeed的破产新闻，加上瑞萨退出SiC业务的传闻，让大家对这个早几年还被视为高门槛材料和器件的未来有了新的担忧。有行业人士表示，过去几年SiC的价格走势不能说是腰斩，甚至可以说得上是“锯腿出售”。编者也曾打趣道，长三角几乎每 ...

近期，国产功率半导体“三线”齐传捷报：株洲中车53亿元8英寸SiC晶圆线正式通线，年增36万片产能；宁波比亚迪24万片SiC芯片技改项目通过验收，1200V沟槽栅MOSFET量产在即；东台富乐华10亿元高导热陶瓷基板项目主体封顶，180万片/年封装材 ...

快速开关宽带隙（WBG）器件的出现显著提高了多种电源转换电路的功率密度，例如主动整流器、LLC谐振桥、相移全桥和双主动桥等。这些电路构成了高效AC-DC和DC-DC阶段的骨干，广泛应用于汽车、太阳能逆变器和数据中心电源，尤其是在高电压和功率密度是关键要求的情况下。除了高功率密度外，SiC在高电压（HV）应用中也具有吸引力，例如能量存储、太阳能逆变器和高电压牵引。在这些应用中，直流电压通常可以轻松超 ...

为配套这一项目，三安光电于2023年7月全资设立重庆三安半导体有限责任公司，在同一园区规划投资70亿元，建设一条年产48万片的8英寸碳化硅衬底生产线，并已于2024年9月通线投产。公司核心业务是8英寸车规级SiC功率器件的外延与芯片制造，产品将独家供应意法半导体，广泛应用于新能源汽车、工业电源、储能等高端领域。

前言在全球功率半导体行业，技术创新与市场需求正以前所未有的速度发展。功率器件制造商正在加速产能扩张，持续突破关键工艺，新产品层出不穷，推动行业的全面升级和创新。随着新能源汽车、人工智能、工业自动化等领域对功率半导体的需求日益增长，整个产业迎来了蓬勃发 ...

以碳化硅为代表的第三代半导体近两年牢牢占据着行业热点。在经历过去几年的高速发展之后，从2024年下半年开始，我们注意到了一些新的变化，涉及市场、产能、技术、价格等多个领域，临近年末，似乎有必要对碳化硅行业进行一番新的梳理。 Yole预计，全球 ...

本文将简要概述近期影响SiC和GaN行业格局演变的一些事件和趋势，重点关注集成器件制造商（IDM）、无晶圆厂厂商和代工厂。对于GaN，本文仅讨论功率应用，不包括射频应用。